足交 西安奕斯伟央求外延滋长专利, 大概提升外延晶圆膜厚均一性

发布日期:2024-10-27 10:07    点击次数:77

足交 西安奕斯伟央求外延滋长专利, 大概提升外延晶圆膜厚均一性

金融界2024年10月26日音讯,国度常识产权局信息走漏,西安奕斯伟材料科技股份有限公司、西安奕斯伟硅片本领有限公司央求一项名为“一种外延滋长要道及外延滋长成就、外延晶圆”的专利足交,公开号CN118814262A,央求日历为2024年6月。

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专利摘录走漏,本公开提供了一种外延滋长要道及成就、外延晶圆,该要道包括:将晶圆送入外延反映腔室,在所述晶圆上滋长外延层;获得所述外延层的厚度信息;将所述外延层的厚度信息与预设圭臬厚度信息进行对比,诡计所述外延层的厚度信息相对所述预设圭臬厚度信息的厚度偏差量;当所述厚度偏差量大于或即是阈值时,养息通入所述反映腔室中对应所述晶圆不同区域的气体流量分派比例和/或养息基座高度,以对所述厚度偏差量进行赔偿。本公开提供了一种外延滋长要道及外延滋长成就、外延晶圆,大概提升外延晶圆膜厚均一性。

本文源自:金融界足交